Продукція > VISHAY > SI4436DY-T1-GE3
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3 Vishay

si4436dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
381+36.96 грн
390+36.12 грн
401+35.08 грн
500+33.39 грн
1000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4436DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4436DY-T1-GE3 за ціною від 25.00 грн до 39.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 Vishay si4436dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.36 грн
21+36.91 грн
25+36.07 грн
100+33.79 грн
500+30.88 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4436dy.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.36 грн
21+36.91 грн
25+36.07 грн
100+33.79 грн
500+30.88 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4436DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4436DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.