Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4442DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 22A; Idm: 60A; 3.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 22A, Power dissipation: 3.5W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 7.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 60A.
Інші пропозиції SI4442DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4442DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SI4442DY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 22A; Idm: 60A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Power dissipation: 3.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SI4442DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4442DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V
MOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI4442DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 22A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 22A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI4442DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.