Продукція > VISHAY SILICONIX > Si4442DY-T1-E3
Si4442DY-T1-E3

Si4442DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4442dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+104.64 грн
5000+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si4442DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції Si4442DY-T1-E3 за ціною від 79.82 грн до 214.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4442DY-T1-E3 SI4442DY-T1-E3 Vishay si4442dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.68 грн
10+113.68 грн
25+112.53 грн
50+107.43 грн
100+91.05 грн
250+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3 SI4442DY-T1-E3 Vishay si4442dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+130.68 грн
124+113.68 грн
125+112.53 грн
127+107.43 грн
138+91.05 грн
250+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4442dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.75 грн
10+173.82 грн
100+140.60 грн
500+117.29 грн
1000+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4442dy-1765403.pdf MOSFET 30V 22A 3.5W
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DYT1E3 VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3 si4442dy.pdf
SI4442DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+130.68 грн
10+113.68 грн
25+112.53 грн
50+107.43 грн
100+91.05 грн
250+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DY-T1-E3 si4442dy.pdf
SI4442DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+130.68 грн
124+113.68 грн
125+112.53 грн
127+107.43 грн
138+91.05 грн
250+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3 si4442dy.pdf
Si4442DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.75 грн
10+173.82 грн
100+140.60 грн
500+117.29 грн
1000+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3 si4442dy-1765403.pdf
Si4442DY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 22A 3.5W
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4442DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.