Продукція > VISHAY > SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4447ADY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 61402-7
Price: 40675.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	16.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4447ADY-T1-GE3 за ціною від 12.75 грн до 64.19 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	16.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	18.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
489+	25.59 грн
507+	24.67 грн
1000+	23.87 грн
2500+	22.33 грн
5000+	20.12 грн

Мінімальне замовлення: 489

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 47872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	28.47 грн
500+	19.29 грн
1000+	16.12 грн
5000+	13.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
428+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 428

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	29.90 грн
5000+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A

на замовлення 664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	49.58 грн
12+	35.33 грн
100+	22.31 грн
200+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 664 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	59.50 грн
10+	44.02 грн
100+	26.77 грн
200+	24.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V

на замовлення 4516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	61.83 грн
10+	40.17 грн
100+	26.16 грн
500+	18.89 грн
1000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 46029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	62.32 грн
20+	43.43 грн
100+	28.47 грн
500+	19.29 грн
1000+	16.12 грн
5000+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 8976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	64.19 грн
10+	44.17 грн
100+	25.15 грн
500+	19.36 грн
1000+	17.53 грн
2500+	15.55 грн
5000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	19.68 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	19.68 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.