Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4447ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4496231-3
Price: 44475.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	17.79 грн
7500+	15.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 4.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції SI4447ADY-T1-GE3 за ціною від 18.75 грн до 72.44 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Siliconix

Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Siliconix

Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

489+	28.90 грн
507+	27.86 грн
1000+	26.95 грн
2500+	25.22 грн
5000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 489 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 428 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.77 грн
5000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V

на замовлення 13520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.24 грн
10+	42.86 грн
50+	31.54 грн
100+	26.17 грн
500+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	72.44 грн

Мінімальне замовлення: 195 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 10781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

на замовлення 30763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 37588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Siliconix
Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Siliconix
Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
489+	28.90 грн
507+	27.86 грн
1000+	26.95 грн
2500+	25.22 грн
5000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 489 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
428+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 428 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	33.77 грн
5000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V

на замовлення 13520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	71.24 грн
10+	42.86 грн
50+	31.54 грн
100+	26.17 грн
500+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
195+	72.44 грн

Мінімальне замовлення: 195 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 10781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

на замовлення 30763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4447ADY-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 37588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.