Продукція > VISHAY > SI4447ADY-T1-GE3
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

si4447ad.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4447ADY-T1-GE3 за ціною від 13.14 грн до 69.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
489+25.35 грн
507+24.43 грн
1000+23.64 грн
2500+22.12 грн
5000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.53 грн
500+19.33 грн
1000+16.15 грн
5000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
428+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.62 грн
5000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.97 грн
11+38.26 грн
43+22.19 грн
116+20.92 грн
500+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.96 грн
10+40.25 грн
100+26.22 грн
500+18.92 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4447ad.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.33 грн
10+44.26 грн
100+25.20 грн
500+19.40 грн
1000+17.56 грн
2500+15.58 грн
5000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.77 грн
10+47.68 грн
43+26.63 грн
116+25.11 грн
500+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.91 грн
20+43.78 грн
100+28.53 грн
500+19.33 грн
1000+16.15 грн
5000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.