Продукція > VISHAY > SI4447ADY-T1-GE3
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

si4447ad.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4447ADY-T1-GE3 за ціною від 14.23 грн до 66.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.77 грн
5000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 56163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.76 грн
500+21.47 грн
1000+17.03 грн
5000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.13 грн
5000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4447ad.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 25807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.98 грн
10+41.81 грн
100+24.60 грн
500+19.67 грн
1000+17.27 грн
2500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 4.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.36 грн
12+33.79 грн
42+21.09 грн
116+19.96 грн
500+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 56163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.12 грн
20+40.70 грн
100+27.76 грн
500+21.47 грн
1000+17.03 грн
5000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 9089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.01 грн
10+38.85 грн
100+27.87 грн
500+20.12 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 4.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.43 грн
10+42.11 грн
42+25.31 грн
116+23.95 грн
500+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.