Продукція > VISHAY > SI4447ADY-T1-GE3
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

si4447ad.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4447ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4447ADY-T1-GE3 за ціною від 14.56 грн до 67.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.18 грн
5000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
489+24.93 грн
507+24.03 грн
1000+23.25 грн
2500+21.75 грн
5000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 55635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.40 грн
500+21.96 грн
1000+17.42 грн
5000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
428+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.13 грн
5000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.63 грн
12+34.57 грн
42+21.57 грн
116+20.41 грн
500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Description: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 55635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.46 грн
20+41.64 грн
100+28.40 грн
500+21.96 грн
1000+17.42 грн
5000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 9089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.44 грн
10+39.75 грн
100+28.51 грн
500+20.58 грн
1000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4447ad.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 25333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.04 грн
10+44.65 грн
25+37.71 грн
100+26.50 грн
500+21.01 грн
1000+19.00 грн
2500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.95 грн
10+43.07 грн
42+25.89 грн
116+24.50 грн
500+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4447ad.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.