Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4447DY-T1-E3
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4447dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±16V.

Інші пропозиції SI4447DY-T1-E3 за ціною від 22.01 грн до 57.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4447DY-T1-E3 SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4447dy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.73 грн
10+47.59 грн
100+32.98 грн
500+25.86 грн
1000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 SI4447DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4447dy.pdf MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DYT1E3 VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
SI4447DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.73 грн
10+47.59 грн
100+32.98 грн
500+25.86 грн
1000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
SI4447DY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.