Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4447DY-T1-E3
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4447dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI4447DY-T1-E3 за ціною від 19.57 грн до 63.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4447DY-T1-E3 SI4447DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4447dy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.69 грн
10+49.20 грн
100+34.10 грн
500+26.74 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 SI4447DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4447dy.pdf MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.86 грн
10+54.23 грн
100+32.74 грн
500+27.29 грн
1000+23.25 грн
2500+20.45 грн
5000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4447dy.pdf SI4447DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.