Продукція > VISHAY > SI4455DY-T1-GE3
SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3 Vishay

si4455dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4455DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4455DY-T1-GE3 за ціною від 39.11 грн до 142.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4455dy.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.61 грн
500+53.92 грн
1000+45.71 грн
5000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4455dy.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 31073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.97 грн
10+84.11 грн
100+59.45 грн
500+45.51 грн
1000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4455dy.pdf Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.98 грн
10+104.97 грн
100+76.61 грн
500+53.92 грн
1000+45.71 грн
5000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4455dy.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 18465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.62 грн
10+107.61 грн
100+68.14 грн
500+54.33 грн
1000+49.88 грн
2500+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF901643EAE62143&compId=SI4455DY.pdf?ci_sign=29e2dd50139aa26884efce19eb6d7a4287298b47 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 315mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF901643EAE62143&compId=SI4455DY.pdf?ci_sign=29e2dd50139aa26884efce19eb6d7a4287298b47 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 315mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.