на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4455DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4455DY-T1-GE3 за ціною від 37.61 грн до 137.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 12464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
на замовлення 31073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 12464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 21075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.3A; 3.8W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.295Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.3A; 3.8W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.295Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |