| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 89.07 грн |
| 10+ | 87.70 грн |
| 25+ | 86.33 грн |
| 100+ | 81.91 грн |
| 250+ | 74.62 грн |
| 500+ | 70.45 грн |
| 1000+ | 69.28 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4456DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI4456DY-T1-E3 за ціною від 69.28 грн до 215.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si4456DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si4456DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4456DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 89.07 грн |
| 162+ | 87.70 грн |
| 165+ | 86.33 грн |
| 167+ | 81.91 грн |
| 250+ | 74.62 грн |
| 500+ | 70.45 грн |
| 1000+ | 69.28 грн |
| Si4456DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.60 грн |
| 10+ | 86.81 грн |
| SI4456DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 101.12 грн |
| SI4456DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 172.46 грн |
| 102+ | 139.39 грн |
| 109+ | 131.12 грн |
| 200+ | 125.30 грн |
| 500+ | 103.68 грн |
| 1000+ | 92.85 грн |
| 2000+ | 90.52 грн |
| 2500+ | 90.22 грн |
| SI4456DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 215.78 грн |
| Si4456DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
MOSFETs 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)