на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 160+ | 80.73 грн |
| 162+ | 79.49 грн |
| 165+ | 78.24 грн |
| 167+ | 74.24 грн |
| 250+ | 67.63 грн |
| 500+ | 63.86 грн |
| 1000+ | 62.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4456DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI4456DY-T1-E3 за ціною від 67.28 грн до 195.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
Si4456DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
Si4456DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V |
на замовлення 3553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| Si4456DY-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
SI4456DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
Si4456DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |