Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI4459ADY-T1-GE3

SI4459ADY-T1-GE3

Si4459ADY.PDF
Код товару: 184525
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4459ADY-T1-GE3 за ціною від 51.42 грн до 205.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Siliconix info-tsi4459ady.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Siliconix info-tsi4459ady.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 30490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.06 грн
5000+55.20 грн
7500+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 31952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.25 грн
10+125.96 грн
100+86.78 грн
500+65.71 грн
1000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.55 грн
95+149.92 грн
103+138.61 грн
200+115.47 грн
500+101.02 грн
1000+90.52 грн
2000+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Semiconductors Si4459ADY.PDF MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY Si4459ADY.PDF Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 info-tsi4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 info-tsi4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 30490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+61.06 грн
5000+55.20 грн
7500+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 31952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.25 грн
10+125.96 грн
100+86.78 грн
500+65.71 грн
1000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+205.55 грн
95+149.92 грн
103+138.61 грн
200+115.47 грн
500+101.02 грн
1000+90.52 грн
2000+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.