на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4459ADY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm.
Інші пропозиції SI4459ADY-T1-GE3 за ціною від 40.89 грн до 134.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -23.5A On-state resistance: 5mΩ |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V |
на замовлення 106962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 11308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -23.5A On-state resistance: 5mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
на замовлення 12755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI4459ADY-T1-GE3 Код товару: 184525 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
SI4459ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |