SI4459BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.19 грн |
| 5000+ | 30.62 грн |
| 7500+ | 29.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4459BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI4459BDY-T1-GE3 за ціною від 30.48 грн до 106.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V |
на замовлення 9929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 16V Vgs SO-8 |
на замовлення 80233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -27.8A; 5.6W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -27.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 84nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -150A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -27.8A; 5.6W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -27.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 84nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -150A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |