Продукція > VISHAY > SI4463BDY-T1-E3
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3 Vishay

si4463bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+199.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4463BDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Інші пропозиції SI4463BDY-T1-E3 за ціною від 199.50 грн до 199.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Vishay si4463bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.50 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 VISHAY 2050292.pdf Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4463bd.pdf MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
на замовлення 9947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 VISHAY 2050292.pdf Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDYT1E3 VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 si4463bd.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+199.50 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 2050292.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 si4463bd.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
на замовлення 9947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 2050292.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.