на замовлення 28877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4463BDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Інші пропозиції SI4463BDY-T1-E3 за ціною від 43.02 грн до 211.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm |
на замовлення 9947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4463BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4463BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -9.8A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |