SI4463BDY-T1-E3 Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4463BDY-T1-E3 Siliconix
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Інші пропозиції SI4463BDY-T1-E3 за ціною від 44.90 грн до 200.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4463BDY-T1-E3 | Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4463BDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4463BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm |
на замовлення 9947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4463BDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4463BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4463BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4463BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4463BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.47 грн |
| SI4463BDY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.28 грн |
| SI4463BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
на замовлення 9947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.97 грн |
| 10+ | 111.86 грн |
| 100+ | 66.68 грн |
| 500+ | 53.50 грн |
| 1000+ | 49.20 грн |
| 2500+ | 44.90 грн |
| SI4463BDY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 177.62 грн |
| 10+ | 114.30 грн |
| 100+ | 78.28 грн |
| SI4463BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.99 грн |
| 10+ | 111.56 грн |
| SI4463BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 71+ | 200.99 грн |
| 101+ | 140.10 грн |
| 141+ | 100.45 грн |
| 500+ | 79.27 грн |
| 1000+ | 65.56 грн |
| SI4463BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)