Продукція > VISHAY > SI4463BDY-T1-E3
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3 Vishay

si4463bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4463BDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).

Інші пропозиції SI4463BDY-T1-E3 за ціною від 41.17 грн до 181.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4463bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.29 грн
5000+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY 2050292.pdf Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.37 грн
500+56.01 грн
1000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4463bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+100.11 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4463bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+111.98 грн
148+82.77 грн
156+78.30 грн
200+65.73 грн
1000+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY 2050292.pdf Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.66 грн
10+99.31 грн
100+79.37 грн
500+56.01 грн
1000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4463bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+162.37 грн
10+110.06 грн
100+82.97 грн
500+64.48 грн
1000+52.56 грн
2500+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4463bd.pdf MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.17 грн
10+116.83 грн
100+76.19 грн
500+60.81 грн
1000+55.59 грн
2500+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4463bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
на замовлення 7749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.33 грн
10+112.02 грн
100+76.62 грн
500+57.68 грн
1000+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4463bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4463bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.