Продукція > VISHAY > SI4463BDY-T1-E3
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3 Vishay

si4463bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4463BDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).

Інші пропозиції SI4463BDY-T1-E3 за ціною від 41.27 грн до 202.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4463bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.65 грн
5000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY 2050292.pdf Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.65 грн
500+63.17 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4463bd.pdf MOSFETs 20V 13.7A 0.011Ohm
на замовлення 10227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.29 грн
10+115.53 грн
100+78.13 грн
500+62.36 грн
1000+57.00 грн
2500+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY 2050292.pdf Description: VISHAY - SI4463BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.64 грн
10+119.37 грн
100+87.65 грн
500+63.17 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4463bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
на замовлення 7749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.95 грн
10+114.88 грн
100+78.57 грн
500+59.15 грн
1000+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4463bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+202.54 грн
82+148.85 грн
100+141.53 грн
200+118.44 грн
1000+103.85 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4463bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4463bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3; SI4463BDY TSI4463bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4463bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.