Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4463CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 6595012-3
Price: 68025.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	27.21 грн
5000+	24.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4463CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4463CDY-T1-GE3 за ціною від 22.94 грн до 101.05 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	30.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	32.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	35.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002474570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 22521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	45.17 грн
500+	32.77 грн
1000+	27.62 грн
5000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	80.97 грн
10+	51.68 грн
26+	36.33 грн
71+	34.35 грн
250+	33.56 грн
500+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	92.88 грн
10+	59.68 грн
100+	41.09 грн
500+	30.20 грн
1000+	27.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2142 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	97.17 грн
10+	64.41 грн
26+	43.59 грн
71+	41.22 грн
250+	40.27 грн
500+	39.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 22521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	98.02 грн
14+	65.46 грн
100+	45.17 грн
500+	32.77 грн
1000+	27.62 грн
5000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 121860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	101.05 грн
10+	66.49 грн
100+	39.89 грн
500+	31.15 грн
1000+	28.42 грн
2500+	26.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 14mOhm; 18,6A; 5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: SI4463CDY-E3; SI4463CDY-T1-E3; SI4463CDY-GE3; SI4463CDY-T1-GE3 TSI4463cdy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	45.40 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SI4463CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.