Продукція > VISHAY > SI4463CDY-T1-GE3
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3 Vishay

si4463cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4463CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4463CDY-T1-GE3 за ціною від 24.45 грн до 99.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4463cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.67 грн
5000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4463cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4463cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4463cd.pdf Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.13 грн
500+36.32 грн
1000+27.28 грн
5000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.96 грн
10+54.08 грн
26+36.08 грн
71+34.11 грн
500+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4463cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
на замовлення 9285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.97 грн
10+57.54 грн
100+43.62 грн
500+32.45 грн
1000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4463cd.pdf Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.73 грн
14+60.86 грн
100+46.13 грн
500+36.32 грн
1000+27.28 грн
5000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4463cd.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 124158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.32 грн
10+62.31 грн
100+41.05 грн
500+34.18 грн
1000+28.37 грн
2500+26.71 грн
5000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.55 грн
10+67.39 грн
26+43.30 грн
71+40.94 грн
500+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4463cd.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 14mOhm; 18,6A; 5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: SI4463CDY-E3; SI4463CDY-T1-E3; SI4463CDY-GE3; SI4463CDY-T1-GE3 TSI4463cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4463cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.