| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 314+ | 46.58 грн |
| 319+ | 45.87 грн |
| 324+ | 45.16 грн |
| 329+ | 42.86 грн |
| 335+ | 39.06 грн |
| 340+ | 36.89 грн |
| 500+ | 36.29 грн |
| 1000+ | 35.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
314 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4465ADY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4465ADY-T1-GE3 за ціною від 56.98 грн до 224.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V |
на замовлення 9470 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 8 Dauer-Drainstrom Id: 13.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 1.8 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 6.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 450 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4465ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 148+ | 99.39 грн |
| SI4465ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
MOSFETs 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.96 грн |
| 10+ | 135.55 грн |
| 100+ | 81.08 грн |
| 500+ | 64.79 грн |
| 1000+ | 59.76 грн |
| 2500+ | 59.01 грн |
| 5000+ | 56.98 грн |
| SI4465ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 224.69 грн |
| 10+ | 156.65 грн |
| 100+ | 86.07 грн |
| SI4465ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 224.69 грн |
| 94+ | 156.65 грн |
| 170+ | 86.07 грн |
| SI4465ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 13.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 1.8
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 6.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 450
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 13.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 1.8
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 6.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 450
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4465ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)