Продукція > VISHAY > SI4465ADY-T1-GE3
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3 Vishay

si4465ad.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
314+40.94 грн
319+40.32 грн
324+39.70 грн
329+37.68 грн
335+34.34 грн
340+32.43 грн
500+31.90 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4465ADY-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4465ADY-T1-GE3 за ціною від 33.60 грн до 193.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4465ADY-T1-GE3 SI4465ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4465ad.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.36 грн
17+43.21 грн
25+41.02 грн
50+37.38 грн
100+35.32 грн
250+34.74 грн
500+34.18 грн
1000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3 SI4465ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4465ad.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+87.37 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3 SI4465ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4465ad.pdf MOSFETs 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.68 грн
10+123.86 грн
100+74.09 грн
500+59.20 грн
1000+54.60 грн
2500+53.92 грн
5000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3 SI4465ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4465ad.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-GE3 SI4465ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4465ad.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.