на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 75.28 грн |
| 10+ | 70.25 грн |
| 25+ | 69.55 грн |
| 100+ | 62.47 грн |
| 250+ | 56.83 грн |
| 500+ | 51.38 грн |
| 1000+ | 50.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4465ADY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4465ADY-T1-GE3 за ціною від 49.15 грн до 125.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V |
на замовлення 9561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -13.7A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -13.7A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |