на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4477DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4477DY-T1-GE3 за ціною від 35.74 грн до 141.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V |
на замовлення 4391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 6192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |