на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 66.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4477DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4477DY-T1-GE3 за ціною від 37.07 грн до 116.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 0.0051 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26.6A; Idm: -60A; 4.2W; SO8 Power dissipation: 4.2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -26.6A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -60A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI4477DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26.6A; Idm: -60A; 4.2W; SO8 Power dissipation: 4.2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -26.6A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -60A |
товар відсутній |