SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4483ad.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 0.0127 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4483ADY-T1-GE3 за ціною від 36.01 грн до 111.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4483ad.pdf Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 0.0127 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.35 грн
500+39.54 грн
1000+36.29 грн
5000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.44 грн
15+62.07 грн
25+59.77 грн
41+58.24 грн
100+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.05 грн
5+84.04 грн
15+74.49 грн
25+71.73 грн
41+69.89 грн
100+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4483ad.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 24755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+73.19 грн
100+54.54 грн
500+40.41 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4483ad.pdf Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 0.0127 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 29700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.59 грн
11+76.67 грн
100+58.35 грн
500+39.54 грн
1000+36.29 грн
5000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4483ad.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 34991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.58 грн
10+76.65 грн
100+51.94 грн
500+46.27 грн
5000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3
Код товару: 185572
Додати до обраних Обраний товар

si4483ad.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4483ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4483ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4483ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.