Інші пропозиції SI4483ADY-T1-GE3 за ціною від 28.40 грн до 170.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SO8 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.4A Gate charge: 44.8nC On-state resistance: 8.8mΩ Power dissipation: 3.8W Gate-source voltage: ±25V |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V |
на замовлення 20424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 30258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 29126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4483ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |