SI4485DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.37 грн |
| 10+ | 44.34 грн |
| 50+ | 32.73 грн |
| 100+ | 27.18 грн |
| 500+ | 20.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4485DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4485DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4485DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SI4485DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
SI4485DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2200 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4485DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 58588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4485DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4485DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4485DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)