Технічний опис SI4487DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4487DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4487DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC |
на замовлення 9523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI4487DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET -30V -11.6A 5W |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SI4487DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4487DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4487DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V -11.6A 5W
MOSFET -30V -11.6A 5W
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4487DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)