Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4488DY-T1-E3
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4488dy-090512.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+71.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4488DY-T1-E3 за ціною від 78.83 грн до 248.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay si4488dy090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.47 грн
10+109.11 грн
25+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4488dy-090512.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+248.75 грн
10+133.82 грн
100+105.10 грн
500+85.58 грн
1000+84.83 грн
2500+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay si4488dy090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 VISHAY si4488dy-090512.pdf MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+242.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYT1E3 VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.47 грн
10+109.11 грн
25+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.75 грн
10+133.82 грн
100+105.10 грн
500+85.58 грн
1000+84.83 грн
2500+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
Виробник: VISHAY
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.