Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4488DY-T1-E3
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4488dy-090512.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4488DY-T1-E3 за ціною від 75.42 грн до 242.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay si4488dy090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.42 грн
10+105.59 грн
25+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4488dy-090512.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.17 грн
10+127.26 грн
100+82.46 грн
500+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay si4488dy090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 VISHAY si4488dy-090512.pdf MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+242.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYT1E3 VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+121.42 грн
10+105.59 грн
25+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+198.17 грн
10+127.26 грн
100+82.46 грн
500+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
Виробник: VISHAY
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна
2+242.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.