на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 65.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4488DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4488DY-T1-E3 за ціною від 56.82 грн до 227.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 11423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V |
на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4488DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4488DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4488DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI4488DY-T1-E3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |