на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 67.82 грн |
| 10+ | 63.45 грн |
| 25+ | 63.10 грн |
| 100+ | 60.62 грн |
| 250+ | 53.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4488DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4488DY-T1-E3 за ціною від 62.38 грн до 233.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 11395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V |
на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4488DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI4488DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4488DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W Mounting: SMD Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.8A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI4488DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W Mounting: SMD Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.8A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Case: SO8 |
товару немає в наявності |