Продукція > VISHAY > SI4488DY-T1-GE3
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3 Vishay

71240.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4488DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4488DY-T1-GE3 за ціною від 45.30 грн до 250.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4488dy090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4488dy090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4488dy-090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.89 грн
500+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4488dy-090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.47 грн
10+146.32 грн
100+101.78 грн
500+81.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4488dy-090512.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.98 грн
10+162.67 грн
100+99.09 грн
500+85.48 грн
1000+84.72 грн
2500+71.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014753782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.32 грн
10+177.35 грн
100+123.89 грн
500+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4488dy090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4488dy090512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4488dy-090512.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-GE3 SI4488DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4488dy-090512.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.