на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 37.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4488DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4488DY-T1-GE3 за ціною від 51.39 грн до 170.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V |
на замовлення 5177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI4488DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4488DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |