| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 56.61 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4490DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4490DY-T1-E3 за ціною від 56.61 грн до 230.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SI4490DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SI4490DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI44 |
на замовлення 11808 шт: термін постачання 450-459 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SI4490DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4490DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 56.61 грн |
| SI4490DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 78.23 грн |
| SI4490DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 78.27 грн |
| SI4490DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 113.88 грн |
| SI4490DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 230.37 грн |
| 10+ | 144.71 грн |
| 100+ | 100.95 грн |
| 500+ | 82.35 грн |
| SI4490DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 450-459 дні (днів)
| SI4490DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)