Продукція > VISHAY > SI4490DY-T1-E3
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3 Vishay

71341.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4490DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4490DY-T1-E3 за ціною від 64.58 грн до 265.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4490dy.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.03 грн
10+144.37 грн
100+90.71 грн
250+82.73 грн
500+73.29 грн
1000+67.49 грн
2500+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.32 грн
10+166.52 грн
100+116.17 грн
500+88.83 грн
1000+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4490dy.pdf 06+ ZIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4490dy.pdf 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4490dy.pdf 1018+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4490dy.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.