Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4491EDY-T1-GE3
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4491edy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.01 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 6.9W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm.

Інші пропозиції SI4491EDY-T1-GE3 за ціною від 27.28 грн до 89.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.84 грн
259+54.57 грн
500+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4491edy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.40 грн
10+57.83 грн
100+40.69 грн
500+29.94 грн
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4491edy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 6.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 6.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4491edy.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4620 @ 15, Qg, нКл = 153, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 2,8, Р, Вт = 6,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+56.84 грн
259+54.57 грн
500+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.40 грн
10+57.83 грн
100+40.69 грн
500+29.94 грн
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 VISH-S-A0002473643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 6.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 VISH-S-A0002473643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 6.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4620 @ 15, Qg, нКл = 153, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 2,8, Р, Вт = 6,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.