SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.20 грн |
| 5000+ | 25.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4491EDY-T1-GE3 за ціною від 28.49 грн до 105.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V |
на замовлення 5100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 5419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4491EDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.8A; Idm: -60A Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -60A Drain current: -25.8A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 153nC On-state resistance: 11.2mΩ Power dissipation: 6.9W Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |