SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4491edy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.20 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4491EDY-T1-GE3 за ціною від 28.49 грн до 105.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+49.86 грн
259+47.86 грн
500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.57 грн
500+37.79 грн
1000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4491edy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.35 грн
10+60.38 грн
100+42.49 грн
500+31.26 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4491edy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.11 грн
10+64.02 грн
100+41.01 грн
500+36.43 грн
5000+35.21 грн
10000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.37 грн
13+70.08 грн
100+51.57 грн
500+37.79 грн
1000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4491edy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.8A; Idm: -60A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain current: -25.8A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 153nC
On-state resistance: 11.2mΩ
Power dissipation: 6.9W
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.