Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4491EDY-T1-GE3
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4491edy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.07 грн
5000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI4491EDY-T1-GE3 за ціною від 27.34 грн до 106.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY si4491edy.pdf Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.49 грн
500+38.64 грн
1000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4491edy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.60 грн
10+57.95 грн
100+40.78 грн
500+30.00 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4491edy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.74 грн
10+62.01 грн
100+37.99 грн
500+29.81 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 VISHAY si4491edy.pdf Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
13+66.93 грн
100+44.49 грн
500+38.64 грн
1000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4491edy.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4620 @ 15, Qg, нКл = 153, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 2,8, Р, Вт = 6,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+44.49 грн
500+38.64 грн
1000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.60 грн
10+57.95 грн
100+40.78 грн
500+30.00 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.74 грн
10+62.01 грн
100+37.99 грн
500+29.81 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.08 грн
13+66.93 грн
100+44.49 грн
500+38.64 грн
1000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4620 @ 15, Qg, нКл = 153, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 2,8, Р, Вт = 6,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.