на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 58.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4497DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4497DY-T1-GE3 за ціною від 55.10 грн до 200.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 24.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -29A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V |
на замовлення 9679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 14428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -29A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4497DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |