SI4532CDY-T1-GE3
Код товару: 201070
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SI4532CDY-T1-GE3 за ціною від 15.13 грн до 94.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.78W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 39095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4.9/-3.4A Power dissipation: 1.78W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47/89mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9/12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 2197 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.78W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 6170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
на замовлення 3413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 39095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4532CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |