Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

si4532cd.pdf
Код товару: 201070
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4532CDY-T1-GE3 за ціною від 16.20 грн до 96.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4532cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.25 грн
5000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.63 грн
7500+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 38995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.48 грн
500+22.09 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Vishay doc64805.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+49.48 грн
500+34.79 грн
1000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.70 грн
9+50.94 грн
10+44.04 грн
50+31.02 грн
100+26.90 грн
500+20.26 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4532cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.49 грн
10+43.27 грн
100+28.34 грн
500+20.55 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 38990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.38 грн
50+51.08 грн
100+33.48 грн
500+22.09 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4532cd.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.09 грн
10+50.75 грн
100+28.98 грн
500+22.55 грн
1000+20.11 грн
2500+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Vishay doc64805.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.16 грн
13+61.02 грн
100+40.24 грн
500+29.84 грн
1000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.25 грн
5000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+19.63 грн
7500+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 38995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.48 грн
500+22.09 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 doc64805.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
287+49.48 грн
500+34.79 грн
1000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+69.70 грн
9+50.94 грн
10+44.04 грн
50+31.02 грн
100+26.90 грн
500+20.26 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.49 грн
10+43.27 грн
100+28.34 грн
500+20.55 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 38990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+81.38 грн
50+51.08 грн
100+33.48 грн
500+22.09 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.09 грн
10+50.75 грн
100+28.98 грн
500+22.55 грн
1000+20.11 грн
2500+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 doc64805.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+96.16 грн
13+61.02 грн
100+40.24 грн
500+29.84 грн
1000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.