Продукція > VISHAY > SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4532CDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 700308-7
Price: 35500 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	14.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4532CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4532CDY-T1-GE3 за ціною від 15.07 грн до 77.27 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	17.79 грн
5000+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	19.61 грн
5000+	17.42 грн
7500+	16.66 грн
12500+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	22.15 грн
7500+	19.40 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 46189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	32.54 грн
500+	25.27 грн
1000+	19.80 грн
5000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002474123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 45009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	55.12 грн
50+	47.91 грн
100+	33.23 грн
500+	25.75 грн
1000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9/12nC
Technology: TrenchFET®

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	64.39 грн
10+	42.57 грн
50+	18.73 грн
137+	17.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

на замовлення 47533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	65.09 грн
10+	46.21 грн
100+	27.40 грн
500+	22.96 грн
1000+	19.52 грн
2500+	17.60 грн
5000+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 14325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	76.99 грн
10+	46.64 грн
100+	30.49 грн
500+	22.12 грн
1000+	19.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	77.27 грн
10+	53.05 грн
50+	22.48 грн
137+	21.24 грн
2500+	21.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3
Код товару: 201070

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4532CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.