Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4534DY-T1-GE3
SI4534DY-T1-GE3

SI4534DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4534dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.40 грн
5000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4534DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4534DY-T1-GE3 за ціною від 41.67 грн до 105.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4534DY-T1-GE3 SI4534DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4534dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+80.86 грн
10+72.63 грн
25+70.59 грн
50+63.28 грн
100+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3 SI4534DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4534dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.30 грн
10+82.69 грн
100+64.31 грн
500+51.15 грн
1000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3 SI4534DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4534dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4534dy.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.