SI4554DY-T1-GE3

SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4554dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4554DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4554DY-T1-GE3 за ціною від 19.39 грн до 69.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4554dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/6.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4554dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.29 грн
10+47.55 грн
100+32.93 грн
500+25.82 грн
1000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4554dy.pdf Description: VISHAY - SI4554DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.17 грн
17+50.63 грн
100+32.05 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4554dy.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.71 грн
10+51.47 грн
100+30.58 грн
500+25.21 грн
1000+21.78 грн
2500+20.07 грн
5000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4554dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4554dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-8A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-8A
On-state resistance: 34/27mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.2/3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63/20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4554dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-8A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-8A
On-state resistance: 34/27mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.2/3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63/20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.