| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 31.97 грн |
| 5000+ | 30.73 грн |
| 12500+ | 29.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4559ADY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4559ADY-T1-GE3 за ціною від 34.55 грн до 185.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
на замовлення 16056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |