Продукція > VISHAY > SI4559ADY-T1-GE3
SI4559ADY-T1-GE3

SI4559ADY-T1-GE3 Vishay

si4559ad.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4559ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4559ADY-T1-GE3 за ціною від 28.19 грн до 192.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4559ady.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.59 грн
5000+29.40 грн
12500+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4559ady.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.87 грн
5000+34.47 грн
12500+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4559ady.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4559ady.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.48 грн
5000+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4559ady.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.48 грн
5000+48.87 грн
10000+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 22/20nC
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.34 грн
10+66.68 грн
50+58.84 грн
100+55.70 грн
125+54.91 грн
250+52.56 грн
500+49.42 грн
1000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4559ady.pdf Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.31 грн
500+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 22/20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.21 грн
10+83.09 грн
50+70.60 грн
100+66.84 грн
125+65.90 грн
250+63.07 грн
500+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4559ady.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 16056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.28 грн
10+91.80 грн
100+64.32 грн
500+56.56 грн
1000+52.87 грн
2500+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4559ady.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.86 грн
10+97.90 грн
100+66.31 грн
500+49.53 грн
1000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4559ady.pdf Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+192.62 грн
50+123.34 грн
100+84.31 грн
500+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4559ady.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.