SI4564DY-T1-GE3

SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4564dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.17 грн
5000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4564DY-T1-GE3 за ціною від 35.49 грн до 144.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.51 грн
500+55.76 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4564dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.63 грн
10+77.40 грн
100+56.19 грн
500+41.81 грн
1000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.99 грн
50+99.52 грн
100+74.51 грн
500+55.76 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4564dy.pdf MOSFETs SO8 DUAL CHAN 40V
на замовлення 14767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.19 грн
10+96.79 грн
100+56.64 грн
500+44.89 грн
1000+41.02 грн
2500+37.00 грн
5000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4564dy.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB; SI4564DY-T1-GE3 Vishay TSI4564dy
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3
Код товару: 49736
Додати до обраних Обраний товар

si4564dy.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4564dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4564dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-7.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-7.4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2/2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V; ±20V
On-state resistance: 17.5/21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31/63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4564dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-7.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-7.4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2/2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V; ±20V
On-state resistance: 17.5/21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31/63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.