Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > SI4564DY-T1-GE3

SI4564DY-T1-GE3

Name: SI4564DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2441652-3
Price: 106750.00 UAH
Availability: InStock

Код товару: 49736

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції SI4564DY-T1-GE3 за ціною від 36.89 грн до 157.12 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4564DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.70 грн
7500+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.65 грн
5000+	53.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	54.07 грн
5000+	53.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 14068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.56 грн
10+	93.22 грн
50+	70.27 грн
100+	58.98 грн
500+	46.76 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs SO8 NPCH 40V 10A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

2+	157.12 грн
10+	98.63 грн
100+	57.48 грн
500+	46.57 грн
1000+	45.52 грн
2500+	39.05 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0002474634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 6624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	42.70 грн
7500+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	52.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	52.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	53.65 грн
5000+	53.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	54.07 грн
5000+	53.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 14068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	151.56 грн
10+	93.22 грн
50+	70.27 грн
100+	58.98 грн
500+	46.76 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs SO8 NPCH 40V 10A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	157.12 грн
10+	98.63 грн
100+	57.48 грн
500+	46.57 грн
1000+	45.52 грн
2500+	39.05 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4564DY-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 6624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.