SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.00 грн |
| 5000+ | 34.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4564DY-T1-GE3 за ціною від 35.33 грн до 143.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 14202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 7258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 14202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs SO8 DUAL CHAN 40V |
на замовлення 14767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB; SI4564DY-T1-GE3 Vishay TSI4564dy кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI4564DY-T1-GE3 Код товару: 49736
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 8/-7.4A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 8/-7.4A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2/2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V; ±20V On-state resistance: 17.5/21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31/63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |