SI4564DY-T1-GE3
Код товару: 49736
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SI4564DY-T1-GE3 за ціною від 32.92 грн до 187.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 6624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 6603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 6624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4564DY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB; SI4564DY-T1-GE3 Vishay TSI4564dy кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|