Технічний опис SI4567DY-T1-E3 VISHAY
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.75W, 2.95W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4567DY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4567DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4567DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)

