SI4590DY-T1-GE3


si4590dy.pdf
Код товару: 175518
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4590DY-T1-GE3 за ціною від 27.29 грн до 102.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4590dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+61.92 грн
100+40.98 грн
500+30.01 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 si4590dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.29 грн
10+61.92 грн
100+40.98 грн
500+30.01 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.