SI4590DY-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.73 грн |
| 500+ | 31.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4590DY-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI4590DY-T1-GE3 за ціною від 27.70 грн до 103.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.4W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4590DY-T1-GE3 Код товару: 175518
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 5.6A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 5.6A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A/2.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100/-100V; 2.3/2.7W Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 4.5/-2.7A On-state resistance: 57/183mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2.3/2.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4/11.6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.4W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4590DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100/-100V; 2.3/2.7W Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 4.5/-2.7A On-state resistance: 57/183mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2.3/2.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4/11.6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
товару немає в наявності |