Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

Код товару: 175518

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції SI4590DY-T1-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SI4590DY-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SI4590DY-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

SI4590DY-T1-GE3

VISH-S-A0002473677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4590DY-T1-GE3

на замовлення 833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.