Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

si4590dy.pdf
Код товару: 175518
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4590DY-T1-GE3 за ціною від 26.49 грн до 99.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4590dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.30 грн
10+60.11 грн
100+39.78 грн
500+29.13 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 si4590dy.pdf
SI4590DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.30 грн
10+60.11 грн
100+39.78 грн
500+29.13 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 VISH-S-A0002473677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4590DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 VISH-S-A0002473677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4590DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.