Продукція > VISHAY > SI4599DY-T1-GE3
SI4599DY-T1-GE3

SI4599DY-T1-GE3 Vishay

si4599dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4599DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4599DY-T1-GE3 за ціною від 19.39 грн до 91.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4599dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.96 грн
5000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4599dy.pdf Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.09 грн
500+31.52 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38/20nC
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.49 грн
10+51.72 грн
44+21.30 грн
120+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4599dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.44 грн
10+55.18 грн
100+37.16 грн
500+27.17 грн
1000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4599dy.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 9073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.57 грн
10+59.44 грн
100+34.56 грн
500+27.17 грн
1000+24.52 грн
2500+19.85 грн
5000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38/20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.39 грн
10+64.45 грн
44+25.56 грн
120+24.15 грн
2500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4599dy.pdf Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.42 грн
50+64.50 грн
100+43.09 грн
500+31.52 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3
Код товару: 85373
Додати до обраних Обраний товар

si4599dy.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4599dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4599dy.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.