Купить SI4599DY-T1-GE3 - Транзисторы - Биполярные NPN

Наименование: SI4599DY-T1-GE3

код товара: 85373
SI4599DY-T1-GE3

DOWNLOAD si4599dy.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3
код товара: 85373
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Биполярные NPN
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC; Supplier Device Package : 8-SO; Package / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width); Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 3W, 3.1W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 640pF @ 20V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 20nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35.5 mOhm @ 5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 6.8A, 5.8A; Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : N and P-Channel под заказ 2687 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : N and P-Channel; Supplier Device Package : 8-SO; Package / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width); Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 3W, 3.1W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 640pF @ 20V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 20nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35.5 mOhm @ 5A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 6.8A, 5.8A; Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V под заказ 2687 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY под заказ 2100 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4599DY-T1-GE3 под заказ 2100 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET 40/40V 5.3/11.8A 3.0/3.1W под заказ 1516 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
41+ 44.3 грн
53+ 34.3 грн
100+ 26.03 грн
500+ 22.15 грн
2500+ 16.08 грн
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 6.8A, 5.8A; Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V; FET Feature : Logic Level Gate; FET Type : N and P-Channel; Supplier Device Package : 8-SO; Package / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width); Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 3W, 3.1W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 640pF @ 20V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 20nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35.5 mOhm @ 5A, 10V товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание SI4599DY-T1-GE3

Цена SI4599DY-T1-GE3

от 16.08 грн до 44.3 грн
Asers Shop ©