SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.73 грн |
| 5000+ | 19.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4599DY-T1-GE3 за ціною від 18.89 грн до 77.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 7324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 7851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
на замовлення 13990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 22320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4599DY-T1-GE3 Код товару: 85373 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 6.8/-5.8A On-state resistance: 62/42.5mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.1/3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38/20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI4599DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 6.8/-5.8A On-state resistance: 62/42.5mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.1/3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38/20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |