на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 95.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4630DY-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 7.8W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 3.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 161nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4630DY-T1-GE3 за ціною від 65.58 грн до 236.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4630DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4630DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs SO-8 |
на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4630DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI4630DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4630DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |