на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.63 грн |
| 10+ | 120.14 грн |
| 100+ | 82.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4630DY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W, Case: SO8, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 40A, On-state resistance: 3.2mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 7.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 161nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±16V, Pulsed drain current: 70A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4630DY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4630DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
на замовлення 11109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SI4630DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
на замовлення 11109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SI4630DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI4630DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4630DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SI4630DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Case: SO8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 161nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||
| SI4630DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Case: SO8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 161nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |