на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.57 грн |
| 10+ | 149.11 грн |
| 100+ | 97.05 грн |
| 500+ | 81.89 грн |
| 1000+ | 69.76 грн |
| 2500+ | 67.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4630DY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 7.8W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 3.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 161nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4630DY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4630DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
на замовлення 11109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SI4630DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
на замовлення 11109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SI4630DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI4630DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4630DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
SI4630DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI4630DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|
| SI4630DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||
| SI4630DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |