Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI4634DY-T1-GE3

SI4634DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Name: SI4634DY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 135750-4
Price: 504.66 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 2517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	168.22 грн
10+	114.59 грн
100+	71.41 грн
500+	57.30 грн
1000+	54.88 грн
2500+	49.82 грн
5000+	48.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4634DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 24.5A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 5.7W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 68nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції SI4634DY-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI4634DY-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC	на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4634DY-T1-GE3			на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4634DY-T1-GE3		VISHAY 10+ SOP8	на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4634DY-T1-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4634DY-T1-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4634DY-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4634DY-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.