Технічний опис SI4670DY-T1-GE3 Vishay
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A, Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 2.8W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 28mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SI4670DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4670DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|
 |
SI4670DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI4670DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |