Продукція > VISHAY > SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3 Vishay


si4670dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4670DY-T1-GE3 Vishay

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A, Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 2.8W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 28mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції SI4670DY-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4670DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4670dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4670DY-T1-GE3 SI4670DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4670dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4670DY-T1-GE3 SI4670DY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4670dy-1765288.pdf MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4670DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4670dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.