Продукція > VISHAY > SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3

SI4686DY-T1-E3 VISHAY

SI4686DY.pdf Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.40 грн
11+40.76 грн
100+33.29 грн
500+29.69 грн
1000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4686DY-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4686DY-T1-E3 за ціною від 31.88 грн до 154.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4686DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
10+50.79 грн
100+39.95 грн
500+35.62 грн
1000+34.05 грн
2500+32.47 грн
5000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4686dy.pdf MOSFETs 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.01 грн
10+103.21 грн
100+61.64 грн
500+49.12 грн
1000+45.74 грн
2500+40.62 грн
5000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4686dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.14 грн
10+95.21 грн
100+64.47 грн
500+48.16 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 Виробник : Vishay 73422.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4686dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4686dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.