| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 91.02 грн |
| 10+ | 75.99 грн |
| 25+ | 72.39 грн |
| 50+ | 57.39 грн |
| 100+ | 49.75 грн |
| 250+ | 42.93 грн |
| 500+ | 35.97 грн |
| 1000+ | 33.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4778DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 25V 8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 13 V.
Інші пропозиції SI4778DY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4778DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4778DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)