Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4804CDY-T1-GE3
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4804cdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4804CDY-T1-GE3 за ціною від 21.54 грн до 82.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4804CDY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4804cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.93 грн
10+49.84 грн
100+32.70 грн
500+23.77 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4804cdy.pdf MOSFETs 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
SI4804CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.93 грн
10+49.84 грн
100+32.70 грн
500+23.77 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
SI4804CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.