SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4804cdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 3.1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI4804CDY-T1-GE3 за ціною від 20.95 грн до 86.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4804CDY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4804cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.84 грн
10+50.99 грн
100+33.45 грн
500+24.31 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4804cdy.pdf MOSFETs 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.35 грн
10+53.32 грн
100+30.10 грн
500+23.88 грн
1000+21.30 грн
2500+21.09 грн
5000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.84 грн
10+50.99 грн
100+33.45 грн
500+24.31 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.35 грн
10+53.32 грн
100+30.10 грн
500+23.88 грн
1000+21.30 грн
2500+21.09 грн
5000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4804CDY-T1-GE3 si4804cdy.pdf
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.