Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4816BDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4816BDY-T1-E3 за ціною від 40.85 грн до 212.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W, 1.25W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 9400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 15394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI4816BDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4816BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 40.85 грн |
| SI4816BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 63.15 грн |
| SI4816BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W, 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.96 грн |
| 10+ | 106.14 грн |
| 100+ | 73.27 грн |
| 500+ | 55.03 грн |
| 1000+ | 50.61 грн |
| SI4816BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 212.61 грн |
| 105+ | 134.87 грн |
| 200+ | 122.69 грн |
| 500+ | 89.86 грн |
| 1000+ | 77.77 грн |
| 2000+ | 63.90 грн |
| 5000+ | 61.17 грн |
| SI4816BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 15394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4816BDY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4816BDY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, LITTLE FOOT, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0093ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)