Продукція > VISHAY > SI4816BDY-T1-GE3
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3 Vishay

si4816bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4816BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4816BDY-T1-GE3 за ціною від 41.00 грн до 185.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4816bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+83.50 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.29 грн
500+62.48 грн
1000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4816bd.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 13315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.11 грн
10+109.00 грн
100+74.91 грн
500+59.82 грн
1000+54.06 грн
2500+49.74 грн
5000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.01 грн
10+110.58 грн
100+84.29 грн
500+62.48 грн
1000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4816bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.37 грн
10+113.10 грн
100+78.07 грн
500+58.64 грн
1000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4816bd.pdf 2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDY-T1-GE3TR TSI4816bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6/6.5A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992BCCC437B40C7&compId=SI4816BDY.pdf?ci_sign=8bc200295f4cfee228b5eaa8cc6e5d29270ab90a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6/6.5A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 0.64/0.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.