на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 32.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4816BDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4816BDY-T1-GE3 за ціною від 38.06 грн до 185.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 12490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDY-T1-GE3TR TSI4816bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: LITTLE FOOT® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6/6.5A Power dissipation: 0.64/0.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.5/11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10/18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: LITTLE FOOT® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6/6.5A Power dissipation: 0.64/0.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.5/11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10/18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET |
товару немає в наявності |