Продукція > VISHAY > SI4816BDY-T1-GE3
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3 Vishay

si4816bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4816BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4816BDY-T1-GE3 за ціною від 40.70 грн до 179.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.58 грн
5000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4816bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.32 грн
5000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.95 грн
500+60.69 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+100.53 грн
128+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4816bd.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.17 грн
10+103.22 грн
100+63.49 грн
250+63.42 грн
500+51.94 грн
1000+48.19 грн
2500+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.38 грн
10+103.99 грн
100+81.95 грн
500+60.69 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4816bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.85 грн
10+109.74 грн
100+75.75 грн
500+56.89 грн
1000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4816bd.pdf 2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDY-T1-GE3TR TSI4816bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4816bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI4816BDY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI4816BDY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6/6.5A
On-state resistance: 18.5/11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Power dissipation: 0.64/0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 10/18nC
Technology: LITTLE FOOT®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.