на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4825DDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4825DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.9 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4825DDY-T1-GE3 за ціною від 23.06 грн до 121.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4825DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.9 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V |
на замовлення 24581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 10740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4825DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.9 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4825DDY-T1-GE3 |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4825DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -14.9A; Idm: -60A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14.9A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 20.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |