Наименование: SI4835BDY-T1-E3

код товара: 27600
SI4835BDY-T1-E3

DOWNLOAD 72029.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3
код товара: 27600
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
SI4835BDY-T1-E3 под заказ 10080 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4835BDYT1E3 под заказ 10000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4835BDYT1E3 VISHAY под заказ 10000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4835BDY-T1-E3 VISHAY 0702+ под заказ 1162 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4835BDY-T1-E3 под заказ 1000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4835BDY-T1-E3 VISHAY 08+ SOP-8 под заказ 500 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 37nC @ 5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9.6A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 7.4A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : 8-SO; Package / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width); Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 1.5W товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9.6A, 10V; Supplier Device Package : 8-SO; Package / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width); Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 1.5W; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 7.4A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 37nC @ 5V товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 37nC @ 5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9.6A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 7.4A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : 8-SO; Package / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width); Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 1.5W товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание SI4835BDY-T1-E3

Цена SI4835BDY-T1-E3

от 0 грн до 0 грн
Asers Shop ©