на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 25.83 грн |
| 24+ | 24.99 грн |
| 25+ | 24.95 грн |
| 50+ | 24.02 грн |
| 100+ | 21.23 грн |
| 250+ | 20.34 грн |
| 500+ | 19.48 грн |
| 1000+ | 17.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4835DDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4835DDY-T1-GE3 за ціною від 19.18 грн до 85.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 5711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 18mΩ Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 18mΩ Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 697 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 5711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
на замовлення 8686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 3553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |