Продукція > VISHAY > SI4835DDY-T1-GE3
SI4835DDY-T1-GE3

SI4835DDY-T1-GE3 Vishay

si4835ddy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4835DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4835DDY-T1-GE3 за ціною від 19.00 грн до 100.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+27.04 грн
25+24.85 грн
100+23.19 грн
250+21.45 грн
500+19.64 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
454+27.04 грн
459+26.76 грн
474+24.95 грн
500+22.03 грн
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049984.pdf Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
288+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.99 грн
500+37.55 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
247+49.78 грн
257+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.92 грн
25+39.78 грн
30+31.89 грн
81+30.13 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.70 грн
25+49.57 грн
30+38.27 грн
81+36.16 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.96 грн
50+52.46 грн
100+47.99 грн
500+37.55 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4835ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.32 грн
10+61.61 грн
100+45.38 грн
500+40.10 грн
1000+38.34 грн
2500+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.17 грн
10+64.41 грн
100+50.44 грн
500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.