Продукція > VISHAY > SI4835DDY-T1-GE3
SI4835DDY-T1-GE3

SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY

2049984.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI4835DDY-T1-GE3 за ціною від 33.10 грн до 187.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.12 грн
11+41.94 грн
50+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.50 грн
177+80.37 грн
500+63.62 грн
1000+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.90 грн
10+76.71 грн
100+51.59 грн
500+38.32 грн
1000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4835ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.31 грн
10+87.53 грн
100+51.25 грн
500+40.57 грн
1000+37.08 грн
2500+33.31 грн
5000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.68 грн
10+119.50 грн
100+80.37 грн
500+61.35 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+56.12 грн
11+41.94 грн
50+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
119+119.50 грн
177+80.37 грн
500+63.62 грн
1000+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.90 грн
10+76.71 грн
100+51.59 грн
500+38.32 грн
1000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.31 грн
10+87.53 грн
100+51.25 грн
500+40.57 грн
1000+37.08 грн
2500+33.31 грн
5000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+187.68 грн
10+119.50 грн
100+80.37 грн
500+61.35 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.