SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 54.99 грн |
| 11+ | 41.10 грн |
| 50+ | 36.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI4835DDY-T1-GE3 за ціною від 34.63 грн до 186.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 2518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 298 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 298 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4835DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 118.43 грн |
| 177+ | 79.66 грн |
| 500+ | 63.05 грн |
| 1000+ | 55.65 грн |
| SI4835DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.39 грн |
| 10+ | 75.16 грн |
| 100+ | 50.55 грн |
| 500+ | 37.55 грн |
| 1000+ | 34.63 грн |
| SI4835DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 186.01 грн |
| 10+ | 118.43 грн |
| 100+ | 79.66 грн |
| 500+ | 60.80 грн |
| 1000+ | 51.53 грн |
| SI4835DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4835DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4835DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4835DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)