SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 43.82 грн |
| 5000+ | 39.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, NSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: NSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4840BDY-T1-GE3 за ціною від 38.68 грн до 154.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel |
на замовлення 7181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 3536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4840BDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, NSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 12654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI4840BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.48 грн |
| 10+ | 86.84 грн |
| 100+ | 63.72 грн |
| 500+ | 47.70 грн |
| 1000+ | 45.84 грн |
| SI4840BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.64 грн |
| 10+ | 99.57 грн |
| 25+ | 83.09 грн |
| 100+ | 63.61 грн |
| 500+ | 50.76 грн |
| 1000+ | 48.74 грн |
| 2500+ | 41.55 грн |
| SI4840BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 9000 µohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 154.78 грн |
| 10+ | 100.20 грн |
| 100+ | 67.53 грн |
| 500+ | 45.99 грн |
| 1000+ | 40.78 грн |
| 5000+ | 38.68 грн |