SI4842BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 226.00 грн |
| 10+ | 141.57 грн |
| 50+ | 108.75 грн |
| 100+ | 92.14 грн |
| 500+ | 74.75 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4842BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4842BDY-T1-GE3 за ціною від 71.67 грн до 250.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4842BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SI4842BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
MOSFETs 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.84 грн |
| 10+ | 124.47 грн |
| 100+ | 97.27 грн |
| 500+ | 78.98 грн |
| 2500+ | 72.99 грн |
| 5000+ | 71.67 грн |