Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4842BDY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4842BDY-T1-E3 за ціною від 71.84 грн до 234.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4842BDY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4842BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4842BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 23A 3.5W |
на замовлення 7165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI4842BDY-T1-E3 |
|
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4842BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4842BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 88.32 грн |
| SI4842BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.00 грн |
| 10+ | 146.98 грн |
| 100+ | 101.98 грн |
| 500+ | 77.64 грн |
| 1000+ | 71.84 грн |
| SI4842BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 23A 3.5W
MOSFETs 30V 23A 3.5W
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4842BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)