на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 53.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4842BDY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4842BDY-T1-E3 за ціною від 74.27 грн до 253.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4842BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4842BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 23A 3.5W |
на замовлення 7327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4842BDY-T1-E3 |
|
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI4842BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI4842BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4842BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4842BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8 Polarisation: unipolar Drain current: 28A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 6.25W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.1µC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI4842BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4842BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; SO8 Polarisation: unipolar Drain current: 28A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 6.25W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.1µC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |