SI4848BDY-T1-GE3

SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4848bdy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.37 грн
5000+17.52 грн
7500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4848BDY-T1-GE3 за ціною від 17.44 грн до 77.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4848BDY-T1-GE3 SI4848BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3926343.pdf Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.43 грн
500+22.68 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3 SI4848BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3926343.pdf Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.95 грн
18+47.78 грн
100+32.43 грн
500+22.68 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3 SI4848BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4848bdy.pdf Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+41.23 грн
100+31.29 грн
500+22.95 грн
1000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3 SI4848BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4848bdy.pdf MOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.42 грн
10+49.07 грн
100+28.69 грн
500+22.44 грн
1000+20.45 грн
2500+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3 SI4848BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4848bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4848bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.