Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4850BDY-T1-GE3

SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4850BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 7920394-3
Price: 66775.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	26.71 грн
5000+	23.33 грн
7500+	22.90 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4850BDY-T1-GE3 за ціною від 26.97 грн до 66.20 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4850BDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

287+	48.96 грн
288+	48.92 грн
328+	41.31 грн
500+	34.04 грн
1000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 287 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.02 грн
16+	48.96 грн
25+	48.92 грн
100+	41.36 грн
250+	38.25 грн
500+	32.67 грн
1000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V

на замовлення 7802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.20 грн
10+	47.88 грн
100+	37.65 грн
500+	29.59 грн
1000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 6278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 15583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	35.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
287+	48.96 грн
288+	48.92 грн
328+	41.31 грн
500+	34.04 грн
1000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 287 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
14+	56.02 грн
16+	48.96 грн
25+	48.92 грн
100+	41.36 грн
250+	38.25 грн
500+	32.67 грн
1000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V

на замовлення 7802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	66.20 грн
10+	47.88 грн
100+	37.65 грн
500+	29.59 грн
1000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 6278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4850BDY-T1-GE3

на замовлення 15583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.