Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4850BDY-T1-GE3
SI4850BDY-T1-GE3

SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4850bdy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4850BDY-T1-GE3 за ціною від 24.70 грн до 86.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
287+42.62 грн
288+42.59 грн
328+35.96 грн
500+29.63 грн
1000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+45.28 грн
16+39.57 грн
25+39.54 грн
100+33.43 грн
250+30.92 грн
500+26.41 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2579978.pdf Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.85 грн
500+37.54 грн
1000+29.14 грн
5000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2579978.pdf Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.94 грн
15+59.35 грн
100+46.85 грн
500+37.54 грн
1000+29.14 грн
5000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4850bdy.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.66 грн
10+58.56 грн
100+40.16 грн
500+36.04 грн
1000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4850bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.72 грн
10+56.55 грн
100+42.86 грн
500+32.56 грн
1000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4850bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4850bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.