Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI4850BDY-T1-GE3

SI4850BDY-T1-GE3

si4850bdy.pdf
Код товару: 223065
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4850BDY-T1-GE3 за ціною від 26.56 грн до 121.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4850bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.98 грн
7500+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+42.07 грн
352+41.65 грн
366+40.06 грн
375+37.75 грн
379+34.59 грн
500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay si4850bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.49 грн
19+42.07 грн
25+41.65 грн
50+38.63 грн
100+34.95 грн
250+33.20 грн
500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4850bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 41585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.88 грн
10+68.31 грн
50+51.00 грн
100+42.63 грн
500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4850bdy.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+121.13 грн
10+56.58 грн
100+43.86 грн
500+34.38 грн
2500+31.60 грн
5000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.98 грн
7500+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
349+42.07 грн
352+41.65 грн
366+40.06 грн
375+37.75 грн
379+34.59 грн
500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.49 грн
19+42.07 грн
25+41.65 грн
50+38.63 грн
100+34.95 грн
250+33.20 грн
500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 41585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.88 грн
10+68.31 грн
50+51.00 грн
100+42.63 грн
500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.13 грн
10+56.58 грн
100+43.86 грн
500+34.38 грн
2500+31.60 грн
5000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 VISH-S-A0010924707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 VISH-S-A0010924707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.