SI4864DY-T1-GE3

SI4864DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix


si4864dy.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V
на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.29 грн
10+269.04 грн
25+226.59 грн
100+189.81 грн
250+183.18 грн
500+168.47 грн
1000+144.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4864DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4864DY-T1-GE3 за ціною від 122.73 грн до 369.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4864DY-T1-GE3 SI4864DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4864dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.26 грн
10+236.72 грн
100+168.94 грн
500+131.33 грн
1000+122.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-GE3
Код товару: 194029
Додати до обраних Обраний товар

si4864dy.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-GE3 SI4864DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4864dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4864DY-T1-GE3 SI4864DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4864dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.