Інші пропозиції SI4864DY-T1-GE3 за ціною від 121.15 грн до 364.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4864DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFET 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4864DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI4864DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V
MOSFET 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.75 грн |
| 10+ | 255.36 грн |
| 25+ | 215.07 грн |
| 100+ | 180.16 грн |
| 250+ | 173.87 грн |
| 500+ | 159.91 грн |
| 1000+ | 136.86 грн |
| SI4864DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.50 грн |
| 10+ | 233.67 грн |
| 100+ | 166.76 грн |
| 500+ | 129.64 грн |
| 1000+ | 121.15 грн |