Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

SI4866DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4866dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4866DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI4866DY-T1-E3 за ціною від 66.83 грн до 221.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4866DY-T1-E3 SI4866DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4866dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.23 грн
10+138.28 грн
100+95.41 грн
500+72.35 грн
1000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DYT1E3 VISHAY
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 VISHAY si4866dy.pdf 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 si4866dy.pdf
SI4866DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+221.23 грн
10+138.28 грн
100+95.41 грн
500+72.35 грн
1000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 si4866dy.pdf
Виробник: VISHAY
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.