Продукція > VISHAY > SI4866DY-T1-E3
SI4866DY-T1-E3

SI4866DY-T1-E3 Vishay

si4866dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.45 грн
27+26.33 грн
50+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4866DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4866DY-T1-E3 за ціною від 68.82 грн до 227.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4866DY-T1-E3 SI4866DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4866dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 SI4866DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4866dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.83 грн
10+142.41 грн
100+98.25 грн
500+74.51 грн
1000+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4866dy.pdf 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4866dy.pdf 07+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4866dy.pdf 09+
на замовлення 7868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4866dy.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 SI4866DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4866dy.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-E3 SI4866DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4866dy.pdf MOSFETs 12 Volt 11 Amp 3.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.